首页>MJB44H11T4>规格书详情

MJB44H11T4分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJB44H11T4
厂商型号

MJB44H11T4

参数属性

MJB44H11T4 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK

功能描述

Complementary Power Transistors

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

75.98 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-8-3 20:00:00

人工找货

MJB44H11T4价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MJB44H11T4规格书详情

Complementary Power Transistors

D2PAK for Surface Mount

Complementary power transistors are for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

特性 Features

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A

• Fast Switching Speeds

• Complementary Pairs Simplifies Designs

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

  • 产品编号:

    MJB44H11T4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 10A D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
2535
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ON/安森美
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
ST/意法半导体
21+
D2PAK-3
8860
原装现货,实单价优
询价
ON/安森美
24+
TO-263
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
ON
1822+
TO263
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
ST
25+23+
TO-263
15249
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
ST/意法半导体
21+
D2PAK-3
8860
只做原装,质量保证
询价
ON/安森美
24+
TO-263-2
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
ON
23+
TO-263
433
正规渠道,只有原装!
询价