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MJB44H11G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJB44H11G
厂商型号

MJB44H11G

参数属性

MJB44H11G 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK

功能描述

Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount
TRANS NPN 80V 10A D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

184.81 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-1 23:00:00

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MJB44H11G规格书详情

MJB44H11G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJB44H11G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Complementary power transistors are for general purpose power

amplification and switching such as output or driver stages in

applications such as switching regulators, converters and power

amplifiers.

Features

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A

• Fast Switching Speeds

• Complementary Pairs Simplifies Designs

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJB44H11G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 10A D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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