MJB44H11G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJB44H11G |
| 参数属性 | MJB44H11G 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 10A D2PAK |
| 功能描述 | Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
184.81 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-22 12:00:00 |
| 人工找货 | MJB44H11G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJB44H11G规格书详情
MJB44H11G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的MJB44H11G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Complementary power transistors are for general purpose power
amplification and switching such as output or driver stages in
applications such as switching regulators, converters and power
amplifiers.
特性 Features
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
• Fast Switching Speeds
• Complementary Pairs Simplifies Designs
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V
Machine Model, C > 400 V
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号：
MJB44H11G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
- 频率 - 跃迁：
50MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D²PAK
- 描述：
TRANS NPN 80V 10A D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
TO-263-2 |
5124 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
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ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
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ON/安森美 |
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TO-263-2 |
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ON/安森美 |
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TO-263-2 |
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