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MJB44H11G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepower amplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesin applicationssuchasswitchingregulators,convertersandpower amplifiers. Features •LowCollector−EmitterSaturationVoltage− VCE(sat)=1.0V(Max)@8.0A •F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：296.78 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·LowCollector-Emittersaturationvoltage ·Pb-freepackageareavailable ·Fastswitchingspeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Generalpurposeamplificationandswitchingsuchas outordriverstagesinapplicati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJB44H11G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJB44H11G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 10A D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11	文件：46.83 Kbytes Page：2 Pages	ComplementaryPowerTransistors Features LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves FastSwitchingSpeeds ComplementaryPairsSimplifiesDesigns Pb-FreePackagesareAvailable	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MJD44H11	文件：217.1 Kbytes Page：8 Pages	Complementarypowertransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD44H11	文件：192.88 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES80VOLTS20WATTS ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications ...forgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJD44H11	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD44H11	文件：152.94 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPNPTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
MJB44H11G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
TRANS NPN 80V 10A D2PAK

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