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MJB45H11G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount Complementary power transistors are for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. Features • Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A • F 文件：184.81 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB45H11G	文件：295.93 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector-Emitter saturation voltage ·Pb-free package are available ·Fast switching speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·General purpose amplification and switching such as out or driver stages in applicati 文件：295.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJB45H11G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount 文件：64.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB45H11G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors 文件：115.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB45H11G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 10A D2PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJB45H11G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
40MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
TRANS PNP 80V 10A D2PAK

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