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MJD128T4G	文件：75.86 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Features Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • 文件：75.86 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4G	文件：92.84 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • E 文件：92.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4G	文件：185.04 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：185.04 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4G_12	文件：185.04 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Darlington Power Transistor 文件：185.04 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD128T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJD128T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK

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