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MJD112-1G	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Darlington Power Transistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112-1G	文件：152.64 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112-1G	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Darlington Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112-1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DC-112-1	文件：247.13 Kbytes Page：1 Pages	1WATTSINGLEOUTPUTDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS

产品属性

产品编号：
MJD112-1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

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更多MJD112-1G供应商更新时间2025-5-5 23:00:00

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