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深圳市高捷芯城科技有限公司

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ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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ONTO252

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深圳市盈慧通电子有限公司

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MJD50T4G

ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

6545

2511

电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价

深圳市云美电子科技有限公司

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ST/意法TO252

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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

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ONDPAK

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ON(安森美)

25900

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安凌芯科（深圳）电子有限公司

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MJD50T4

MOTTO-252

800

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安凌芯科只做原装,原盒原包可申请送样,可开13%原型号增值税专票。

深圳市华来深电子有限公司

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MJD50T4G

ONTO-252

18961

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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MJD50LT4

ON/FSCTO-252

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深圳市芯球通科技有限公司

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MJD50T4G

ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

12024

26+

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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MJD50

onsemiDPAK

22412

25+

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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MJD50

onsemiDPAK

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深圳诚思涵科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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MJD50

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MJD50TF/BKN价格

MJD50TF/BKN价格：￥1.0498品牌：Fairchild Semiconductor

生产厂家品牌为Fairchild Semiconductor的MJD50TF/BKN多少钱，想知道MJD50TF/BKN价格是多少？参考价：￥1.0498。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MJD50TF/BKN批发价格及采购报价，MJD50TF/BKN销售排行榜及行情走势，MJD50TF/BKN报价。

MJD50资讯

MJD50G只供应原装，现货价低

MJD50G只供应原装，现货价低

MJD50中文资料Alldatasheet PDF

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MJD50功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD50_12制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor

MJD50-1制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS

MJD50G功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD50T4功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD50T4G功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD50T4G-CUT TAPE制造商:ON 功能描述:MJD Series 400 V 1 A NPN Surface Mount Power Transistor - TO-252

MJD50TF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    MJD50

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    托盘

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1V @ 200mA，1A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    200µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 300mA，10V

  • 频率 - 跃迁：

    10MHz

  • 工作温度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

  • 供应商器件封装：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN 400V 1A DPAK

晶体管资料

  • 型号：

    MJD50

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封装形式：

    贴片封装

  • 极限工作电压：

  • 最大电流允许值：

    1A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    15W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

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