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IXTH36N20T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 200V 36A TO247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTJ36N20	文件：301.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTJ36N20	文件：72.55 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode 文件：72.55 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFJ36N20	文件：362.81 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 70mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：362.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
IXTH36N20T
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
Trench
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
36A（Tc）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-247（IXTH）
封装/外壳：
TO-247-3
描述：
MOSFET N-CH 200V 36A TO247

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