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IXTH150N17T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTH150N17T	文件：163.25 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：163.25 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH150N17T	文件：163.33 Kbytes Page：5 Pages	TrenchHV Power MOSFET HiperFET 文件：163.33 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTH20P50P	文件：0 bytes Page：0 Pages	IXYS TO-247	IXYS 艾赛斯上传：深圳市振鑫微电子科技有限公司	IXYS
IXTH20P50P	文件：0 bytes Page：0 Pages	IXYS/LITTELFUSE TO-247	IXYS/LITTELFUSE 上传：深圳市斌腾达科技有限公司	IXYS/LITTELFUSE

详细参数

型号：
IXTH150N17T
功能描述：
MOSFET 150 Amps 17V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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