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IXTH150N17T中文资料N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options数据手册Littelfuse规格书
IXTH150N17T规格书详情
特性 Features
·Trench Gate MOSFET Technology
·Break down voltages VDSS: 36V to 300V
·Current ratings ID25: 12A to 660A
·Ultra-low on-state resistance RDS(on)
·Superior avalanche ruggedness
·Junction temperature TJ up to 175°C
·International standard packages
技术参数
- 型号：
IXTH150N17T
- 功能描述：
MOSFET 150 Amps 17V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
16438 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO247 |
7000 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
2450+ |
TO-247 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
08+ |
TO-247 |
15 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO247 |
37935 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
IXYS |
25+23+ |
TO-247 |
28802 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-247 |
15 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
