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IXTH200N075T | Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET 文件：190.09 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTH200N075T | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：382.78 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXTH200N075T | N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
TrenchMV Power MOSFET 文件：221.06 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.57 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET 文件：190.09 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
详细参数
- 型号：
IXTH200N075T
- 功能描述：
MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
2025+ |
TO-247 |
32560 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
82 |
询价 | |||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
08+ |
TO-247 |
2090 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |
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