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IXFH150N17T | TrenchHV Power MOSFET HiperFET 文件：163.33 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET 文件：186.8 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
IXFH150N17T | N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能; | Littelfuse 力特 | Littelfuse |
详细参数
- 型号：
IXFH150N17T
- 功能描述：
MOSFET 150 Amps 175V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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