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IXTA200N085T7	文件：168.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchMV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features ● Ultra-low On Resistance ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ● Low package inductance - easy to drive and to protect ● 175 °C Operating Temperature Advantages ● Easy to mount ● Space savings ● High po 文件：168.84 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA3N120	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	IXYS/艾赛斯上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	IXYS/艾赛斯
IXTA76N25TTRL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	IXYS 艾赛斯上传：深圳市凌旭科技有限公司	IXYS
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IXTH20P50P	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	IXYS 艾赛斯上传：深圳市振鑫微电子科技有限公司	IXYS

详细参数

型号：
IXTA200N085T7
功能描述：
MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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