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IXTA300N04T2-7

N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET

• 高电流性能(高达600A)\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;

Littelfuse

力特

IXTA300N04T2-7

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:177.7 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA3N120

TO-263

IXYS/艾赛斯

IXTA76N25TTRL

TO-263

IXYS

艾赛斯

上传:深圳市凌旭科技有限公司

IXTA96P085T

TO-263

IXYS/艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTA300N04T2-7

  • 功能描述:

    MOSFET 300 Amps 40V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTA300N04T2-7供应商 更新时间2026-2-2 14:51:00