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IXTD5N100A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模具；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 1000V 5A DIE	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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MTH5N100	文件：292.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
IXTD5N100A
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
5A（Tc）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
模具
封装/外壳：
模具
描述：
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE

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