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IXTA56N15T	文件：140.14 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated VDSS = 150 V ID25 = 56 A RDS(on) ≤ 36 mΩ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features Unclamped Inductive Switching (UIS) rated Low package inductance - easy to drive and to protect 175 °C Operating Temperature Advantages Easy to mount Space savings 文件：140.14 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA56N15T	文件：299.02 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTA56N15T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTP56N15T	文件：294.86 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTP56N15T	文件：140.14 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated VDSS = 150 V ID25 = 56 A RDS(on) ≤ 36 mΩ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features Unclamped Inductive Switching (UIS) rated Low package inductance - easy to drive and to protect 175 °C Operating Temperature Advantages Easy to mount Space savings 文件：140.14 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

更多IXTA56N15T供应商更新时间2025-11-21 9:47:00