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IXTC75N10	文件：73.18 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode MegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTC75N10	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •DrainSourceVoltage-:VDSS=100V(Min) •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20mΩ@VGS=10V •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverter •Idealforhigh-frequencyswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXTC75N10
功能描述：
MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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