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IXTA3N50P | PolarHV Power MOSFET 文件：236.75 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
PolarHV Power MOSFET 文件：236.75 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
PolarHV Power MOSFET 文件：236.75 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, fast reverse recovery time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES 文件：410.45 Kbytes 页数：6 Pages | KEC KEC(Korea Electronics) | KEC |
详细参数
- 型号：
IXTA3N50P
- 功能描述：
MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-10-11 15:30:00
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