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IXTC62N15P	文件：212.94 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTC62N15P	文件：295.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA62N15P	文件：251 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA62N15P	文件：294.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP62N15P	文件：251 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTQ62N15P	文件：251 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTR62N15P	文件：212.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
IXTC62N15P
功能描述：
MOSFET Polar MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IXTC62N15P供应商更新时间2024-6-6 14:48:00

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