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IXFR64N50P	文件：126.46 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET 文件：126.46 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX64N50P	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 64A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：371.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFX64N50P	文件：146.39 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET 文件：146.39 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFK64N50	文件：328.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 64A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：328.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFK64N50P	文件：328.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 64A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：328.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFK64N50P	文件：146.39 Kbytes Page：4 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET 文件：146.39 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXFR64N50P
功能描述：
MOSFET 500V 64A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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