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IRGR2B60KDTRPBF	文件：751.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE Features ● Low VCE (ON) Non Punch Through IGBT technology ● Low Diode VF ● 10µs Short Circuit Capability ● Square RBSOA ● Ultra-soft Diode Reverse Recovery Characteristics ● Positive VCE (ON) temperature co-efficient ● Lead-free Benefits ● Benchmark Efficiency for Motor Control ● 文件：751.33 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGR2B60KDTRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6.3A 35W DPAK	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRGR2B60KDTRRPBF	文件：751.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE Features ● Low VCE (ON) Non Punch Through IGBT technology ● Low Diode VF ● 10µs Short Circuit Capability ● Square RBSOA ● Ultra-soft Diode Reverse Recovery Characteristics ● Positive VCE (ON) temperature co-efficient ● Lead-free Benefits ● Benchmark Efficiency for Motor Control ● 文件：751.33 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
P2B60AMA	文件：443.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：443.67 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC

产品属性

产品编号：
IRGR2B60KDTRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.25V @ 15V，2A
开关能量：
74µJ（开），39µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/150ns
测试条件：
400V，2A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
IGBT 600V 6.3A 35W DPAK

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