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LOGO

IRGVH50F

文件：535.77 Kbytes

Page：8 Pages

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IRGVH50F
功能描述：
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258AA

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