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IRGR3B60KD2	文件：5.59401 Mbytes Page：30 Pages	Drives 1 x 70W HID lamp Overview The IRPLHID2A reference design kit consists of a complete ballast solution for a 70W HID lamp. The design contains an EMI filter, low voltage power supply, active power factor correction and a ballast control circuit using the IRS2573D. This demo board is intended to help with the evalua 文件：5.59401 Mbytes 页数：30 Pages	IRF	IRF
IRGR3B60KD2	文件：257.47 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：257.47 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGR3B60KD2	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Non Punch Through, Short Circuit Rated IGBT in a D-Pak package.	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGR3B60KD2PBF	文件：318.84 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：318.84 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGR3B60KD2PBF	文件：317.88 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：317.88 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGR3B60KD2PBF	文件：318.84 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：318.84 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGR3B60KD2TRLP	文件：318.84 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：318.84 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGR3B60KD2TRRP	文件：318.84 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：318.84 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGR3B60KD2PBF	文件：318.84 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：318.84 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGR3B60KD2PBF_15	文件：318.84 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：318.84 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
DPAK (TO-252)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
4.2A
IC(@25°) max：
7.8A
ICpuls max：
15.6A
Ptot max：
52.0W
VCE(sat) ：
1.9V
Eon ：
0.062mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.039mJ
td(on) ：
18.0ns
tr ：
15.0ns
td(off) ：
110.0ns
tf ：
68.0ns
QGate ：
13.0nC
IF max：
15.6A
VF ：
1.5V
Irrm ：
4.8A
Ets (max)：
0.1mJ (0.12mJ)
Moisture Sensitivity Level ：
1
VCE max：
600.0V

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