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IRGR2B60KDTRPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRGR2B60KDTRPBF |
| 参数属性 | IRGR2B60KDTRPBF 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 6.3A 35W DPAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
751.33 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-13 10:09:00 |
| 人工找货 | IRGR2B60KDTRPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGR2B60KDTRPBF规格书详情
特性 Features
● Low VCE (ON) Non Punch Through IGBT technology
● Low Diode VF
● 10µs Short Circuit Capability
● Square RBSOA
● Ultra-soft Diode Reverse Recovery Characteristics
● Positive VCE (ON) temperature co-efficient
● Lead-free
Benefits
● Benchmark Efficiency for Motor Control
● Rugged transient performance for increased reliability
● Excellent current sharing in parallel operation
● Low EMI
产品属性
- 产品编号：
IRGR2B60KDTRPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.25V @ 15V，2A
- 开关能量：
74µJ（开），39µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/150ns
- 测试条件：
400V，2A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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询价 | ||
IR |
1923+ |
TO-252 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
1415+ |
TO-252 |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
D-Pak |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
D-Pak |
2000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
