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IRGR2B60KDTRLPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRGR2B60KDTRLPBF
厂商型号

IRGR2B60KDTRLPBF

参数属性

IRGR2B60KDTRLPBF 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 6.3A 35W DPAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

751.33 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 17:04:00

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IRGR2B60KDTRLPBF规格书详情

Features

● Low VCE (ON) Non Punch Through IGBT technology

● Low Diode VF

● 10µs Short Circuit Capability

● Square RBSOA

● Ultra-soft Diode Reverse Recovery Characteristics

● Positive VCE (ON) temperature co-efficient

● Lead-free

Benefits

● Benchmark Efficiency for Motor Control

● Rugged transient performance for increased reliability

● Excellent current sharing in parallel operation

● Low EMI

产品属性

  • 产品编号:

    IRGR2B60KDTRLPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.25V @ 15V,2A

  • 开关能量:

    74µJ(开),39µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    11ns/150ns

  • 测试条件:

    400V,2A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 6.3A 35W DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
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