选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
45 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IR |
65230 |
21+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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IRD2-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
18000 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
8900 |
22+ |
英瑞芯只做原装正品!!! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IR |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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IRTO-263 |
10300 |
09+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
IRGS6B60KD采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRGS6B60KD图片
IRGS6B60KDTRLP价格
IRGS6B60KDTRLP价格:¥8.0262品牌:International
生产厂家品牌为International的IRGS6B60KDTRLP多少钱,想知道IRGS6B60KDTRLP价格是多少?参考价:¥8.0262。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRGS6B60KDTRLP批发价格及采购报价,IRGS6B60KDTRLP销售排行榜及行情走势,IRGS6B60KDTRLP报价。
IRGS6B60KD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRGS6B60KD制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS6B60KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGS6B60KDTRLP功能描述:IGBT 模块 600V 5A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRGS6B60KDTRRP功能描述:IGBT 模块 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: