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IRGS6B60KD	文件：307.26 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10μs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：307.26 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGS6B60KD	文件：307.2 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-220 is available in PbF as a Lead-Free Benefits • Benchmark Eff 文件：307.2 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGS6B60KDPBF	文件：316.13 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10μs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：316.13 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGS6B60KDPBF	文件：316.13 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：316.13 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGS6B60KDPBF_15	文件：316.13 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：316.13 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGS6B60KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package 600V IGBT 与超快10-30 kHz 超软恢复二极管联合封装到D2-Pak 封装中。 • 低 VCE(on) 非穿通型 IGBT 技术\n• 低二极管 VF\n• 10µs 短路能力\n• 方形 RBSOA\n• 正 VCE(on) 温度系数\n• 无铅\n\n优势:\n• 电机控制基准效率\n• 强健的瞬态性能\n• 低 EMI\n• 并联工作时电流共享表现出色;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
7.0A
IC(@25°) max：
13.0A
ICpuls max：
26.0A
Ptot max：
90.0W
VCE(sat) ：
1.8V
Eon ：
0.11mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.135mJ
td(on) ：
25.0ns
tr ：
17.0ns
td(off) ：
215.0ns
tf ：
13.2ns
QGate ：
18.2nC
IF max：
26.0A
VF ：
1.25V
Irrm ：
10.0A
Ets (max)：
0.245mJ (0.455mJ)
Moisture Sensitivity Level ：
1
VCE max：
600.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	IRGS6B60KD	IR	25+	TO-263	18000	原厂直接发货进口原装	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRGS6B60KD	IR	24+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRGS6B60KD	IR	24+	D2-Pak	8866		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRGS6B60KD	IR	2015+	D2-Pak	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRGS6B60KD	IR	24+		65230		询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRGS6B60KD	IR	21+	TO-263	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IRGS6B60KD	IR	09+	TO-263	10300	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	IRGS6B60KD	IR	22+	SOT-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRGS6B60KD	IR	22+	TO-263	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市晨豪科技有限公司	IRGS6B60KD	INFINEON/英飞凌	23+	TO-263	89630	当天发货全新原装现货	询价

更多IRGS6B60KD供应商更新时间2025-11-22 16:18:00

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