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IRGS6B60KDPBF中文资料PDF规格书

IRGS6B60KDPBF
厂商型号

IRGS6B60KDPBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

316.13 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 16:23:00

IRGS6B60KDPBF规格书详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10μs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

产品属性

  • 型号:

    IRGS6B60KDPBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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