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IRGSL4B60KD1	文件：377.18 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low 文件：377.18 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGSL4B60KD1	文件：434.6 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Perform 文件：434.6 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGSL4B60KD1	文件：376.95 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH 文件：376.95 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGSL4B60KD1	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Low-Vceon Non Punch Through Copack IGBT in a TO-262 package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGSL4B60KD1PBF	文件：442.69 Kbytes Page：16 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Perform 文件：442.69 Kbytes 页数：16 Pages	IRF	IRF
IRGSL4B60KD1PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT 600V 11A TO262	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 5
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
I2PAK (TO-262)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
7.6A
IC(@25°) max：
11.0A
ICpuls max：
22.0A
Ptot max：
63.0W
VCE(sat) ：
2.1V
Eon ：
0.073mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.047mJ
td(on) ：
22.0ns
tr ：
18.0ns
td(off) ：
100.0ns
tf ：
66.0ns
QGate ：
12.0nC
IF max：
22.0A
VF ：
1.4V
Irrm ：
6.3A
Moisture Sensitivity Level ：
1
Ets (max)：
0.12mJ (0.13mJ)
VCE max：
600.0V

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更多IRGSL4B60KD1供应商更新时间2025-10-4 11:03:00

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