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IRGSL4B60KD1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRGSL4B60KD1

参数属性

IRGSL4B60KD1 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 600V 11A TO262

功能描述

600V Low-Vceon Non Punch Through Copack IGBT in a TO-262 package
IGBT NPT 600V 11A TO262

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-15 12:01:00

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IRGSL4B60KD1规格书详情

应用 Application

·Dishwasher
·Fan
·Lighting HID
·Pump
·Refridgeration

简介

IRGSL4B60KD1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGSL4B60KD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGSL4B60KD1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :I2PAK (TO-262)

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :7.6A

  • IC(@25°) max

    :11.0A

  • ICpuls max

    :22.0A

  • Ptot max

    :63.0W

  • VCE(sat) 

    :2.1V 

  • Eon 

    :0.073mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.047mJ 

  • td(on) 

    :22.0ns 

  • tr 

    :18.0ns 

  • td(off) 

    :100.0ns 

  • tf 

    :66.0ns 

  • QGate 

    :12.0nC 

  • IF max

    :22.0A

  • VF 

    :1.4V 

  • Irrm 

    :6.3A 

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Ets  (max)

    :0.12mJ (0.13mJ)

  • VCE max

    :600.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价
IR
23+
262
50000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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24+
N/A
65000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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IR
2015+
TO-262
12500
全新原装,现货库存长期供应
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IR
23+
TO-262
7300
专注配单,只做原装进口现货
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IR
24+
TO-262
8866
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IR
25+
262
860000
明嘉莱只做原装正品现货
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IR
23+
TO-262
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
IR
24+
TO-262
5000
全现原装公司现货
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Infineon
1931+
N/A
493
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