订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>IRGSL4B60KD1>详情
IRGSL4B60KD1_IR/国际整流器_IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through一线半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
IRGSL4B60KD1
- 功能描述:
IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- IRGSL4062D
- IRGSL6B60K
- IRGSL30B60KPBF
- IRGSL6B60KD
- IRGSL30B60KD
- IRGSL6B60KDPBF
- IRGSL30B60K
- IRGSL6B60KPBF
- IRGSL15B62KD
- IRGSL8B60K
- IRGSL15B61KD
- IRGSL8B60KD
- IRGSL15B60KDPBF-INF
- IRGSL8B60KPBF
- IRGSL15B60KDPBF
- IRGT10010012
- IRGSL15B60KD
- IRGT10025M12
- IRGSL15B60K
- IRGT10050M12
- IRGSL14C40LPBF
- IRGT10075M12
- IRGSL14C40L
- IRGT10100M12
- IRGSL14B60KD
- IRGT1065F06
- IRGSL14B60K
- IRGT1090U06
- IRGSL10B62KD
- IRGT1090U60
- IRGSL10B61KD
- IRGT115U06
- IRGSL10B60KDPBF
- IRGT115U60
- IRGSL10B60KD
- IRGT4BC30KD
- IRGSL10B60K
- IRGT801AR-RX
- IRGSI520S02
- IRGT801AT-CCG6611
- IRGS8B60KTRLPBF
- IRGT801AT-TX
- IRGS8B60KTRL
- IRGTA065U06
- IRGS8B60KPBF
- IRGTDB200K12
- IRGS8B60K
- IRGTDN150M12
- IRGS6B61KDPBF
- IRGTDN200M06