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IRFI9640G	文件：1.6845 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.6845 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI9640G	文件：883.19 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESC 文件：883.19 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI9640G	文件：169.14 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) Description Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial ap 文件：169.14 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFI9640G	文件：1.66467 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.66467 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI9640G_V01	文件：883.19 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESC 文件：883.19 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI9640GPBF	文件：1.26811 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial ap 文件：1.26811 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFI9640GPBF	文件：1.6845 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat 文件：1.6845 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI9640G_17	文件：1.66467 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.66467 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI9640G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay
IRFI9640GPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRFI9640G
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 6.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFI9640G	IR	17+	TO-220FULLPAK(ISO)	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRFI9640G	IR	24+	TO 220F	161039	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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