Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESC

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SOT-223

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国际整流器

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SOT-223

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SOT-223

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TO-254

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国际整流器

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