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IRFI9640G_V01

Power MOSFET

FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •P-channel •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESC

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威世科技威世科技半导体

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更多IRFI9640G_V01供应商 更新时间2025-7-27 9:17:00