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IRFI540A	文件：232.82 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET 文件：232.82 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRFI540A	文件：274.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：274.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFI540G	文件：1.48447 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.48447 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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IRFI540GPBF	文件：568.96 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：568.96 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFI540NPBF	文件：267.68 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：267.68 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFI540NPBF_15	文件：267.68 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：267.68 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFI540N	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 FullPak 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI540
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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