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IRFI540A	文件：274.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：274.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFI540A	文件：232.82 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET 文件：232.82 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFI540G	文件：1.48447 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：1.48447 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI540G	文件：568.96 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：568.96 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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IRFI540GPBF	文件：568.96 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：568.96 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFI540NPBF	文件：267.68 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：267.68 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFI540NPBF_15	文件：267.68 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：267.68 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFI540N	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 FullPAK(Iso)封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFI540
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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