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IRFL4310	文件：313.03 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFL4310PBF	文件：662.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.20廓,ID=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFL4310PBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFL4310TR	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：1.79548 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFP4310Z	文件：336.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP4310ZPBF	文件：305.33 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP4310ZPBF	文件：299.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS4310	文件：383.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •WorldwideBestRDS(on)inTO-220 •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS4310	文件：330.02 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=130A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS4310PBF	文件：381.53 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability •Lead-Free Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPow	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS4310RPBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS4310TRLPBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS4310Z	文件：1.11549 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Features ●AdvancedProcessTechnology ●UltraLowOn-Resistance ●Dynamicdv/dtRating ●175°COperatingTemperature ●FastSwitching ●RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax ●Lead-Free,RoHSCompliant ●AutomotiveQualified*	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS4310Z	文件：244.92 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRFB4310
制造商：
International Rectifier

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