| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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IRSOT223 |
6000 |
09+ |
原装正品现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TSC-6 |
20000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSOT-223 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSOT-223 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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IRSOT223 |
26500 |
2019 |
原装正品钻石品质假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT223 |
9548 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRSOT-223 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEONSOT-223 |
2500 |
17+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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IRSOT-223 |
40000 |
17+ |
只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRSOT-223 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
34985 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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IRSOT-223 |
15000 |
21+ |
绝对原装公司现货欢迎询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRSOT-223 |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装 现货库存 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOT-223 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOT-223 |
34985 |
11+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
10000 |
23+ |
进口原装现货 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRSOT-223-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRSOT223 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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IRFL4310TRPBF价格
IRFL4310TRPBF价格：￥1.2586品牌：INTERNATIONAL
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IRFL4310TRPBF资讯
IRFL4310TRPBF
IRFL4310TRPBF
IRFL4310TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFL4310制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SOT-223
IRFL4310PBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFL4310TR功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFL4310TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFL4310TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 100 V 2.1 W 17 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223
