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IRFS4310Z	文件：1.11549 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Features ●AdvancedProcessTechnology ●UltraLowOn-Resistance ●Dynamicdv/dtRating ●175°COperatingTemperature ●FastSwitching ●RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax ●Lead-Free,RoHSCompliant ●AutomotiveQualified*	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS4310Z	文件：244.92 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS4310ZPBF	文件：426.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability •Lead-Free Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPo	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4310ZTRLPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4310	文件：330.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL4310	文件：299.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL4310	文件：383.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •WorldwideBestRDS(on)inTO-220 •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4310PBF	文件：381.53 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability •Lead-Free Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
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IRFSL4310ZPBF	文件：426.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability •Lead-Free Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPo	IRF International Rectifier	IRF
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KSM4310	文件：649.85 Kbytes Page：5 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB4310	文件：658.65 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KUWEN-4310	文件：134.48 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWEN-4310/Q	文件：134.48 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LCK4310	文件：126.32 Kbytes Page：10 Pages	Low-VoltagePLLClockDriver	agere Agere Systems	agere
LCK4310GF-DB	文件：126.32 Kbytes Page：10 Pages	Low-VoltagePLLClockDriver	agere Agere Systems	agere
LCK4310GF-DT	文件：126.32 Kbytes Page：10 Pages	Low-VoltagePLLClockDriver	agere Agere Systems	agere

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详细参数

型号：
IRFS4310Z
功能描述：
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFS4310Z供应商更新时间2024-9-20 10:20:00

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