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IRFS4310ZPBF	文件：426.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability • Lead-Free Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Po 文件：426.56 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：330.36 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS4310ZTRLPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：330.36 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL4310	文件：383.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits • Worldwide Best RDS(on) in TO-220 • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power S 文件：383.68 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL4310	文件：299.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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