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IRFL4310	文件：313.03 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：313.03 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4310	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：318.59 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4310	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SOT-223 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFL4310PBF	文件：662.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.20廓 , ID = 1.6A ) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：662.13 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4310TR	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：318.59 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：667.61 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4310PBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：667.61 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4310PBF_15	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：667.61 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：1.79548 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.79548 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFL4310PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 100V SOT223	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFL4310TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT223
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
200 mΩ
ID @25°C max：
1.6 A
QG typ @10V：
17 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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