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IRFL4310	文件：313.03 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：662.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.20廓 , ID = 1.6A ) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TR	文件：318.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310PBF_15	文件：667.61 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4310TRPBF	文件：1.79548 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFL4310PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 100V SOT223	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFP4310Z	文件：336.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRFL4310
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
功能描述：
MOSFET N SOT-223

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