IRFL4310中文资料采用 SOT-223 封装的 100V 单 N 通道 IR MOSFET数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRFL4310 |
| 参数属性 | IRFL4310 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 100V SOT223 |
| 功能描述 | 采用 SOT-223 封装的 100V 单 N 通道 IR MOSFET |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
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IRFL4310规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
简介
IRFL4310属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由Infineon制造生产的IRFL4310晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRFL4310
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRFL4310TRPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：SOT223
- VDS max
：100 V
- RDS (on) @10V max
：200 mΩ
- ID @25°C max
：1.6 A
- QG typ @10V
：17 nC
- Special Features
：Small Power
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：2 V
- VGS(th) max
：4 V
- VGS(th)
：3 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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