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IRF9952QPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description These HEXFET® Power MOSFETs in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFETs are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetit 文件：269.52 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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IRF9952QPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF9952Q
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF9952Q供应商更新时间2025-11-5 10:22:00

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