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IRF9Z20	文件：287.18 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETs FEATURES • Lower RDS(ON) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operating area • Improved high tmeperature reliability 文件：287.18 Kbytes 页数：5 Pages	Samsung 三星	Samsung
IRF9Z20	文件：140.27 Kbytes Page：7 Pages	P-channel versatility DESCRIPTION The power MOSFET technology is the key to Vishay’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the power MOSFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The P-channel 文件：140.27 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z20	文件：161.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • P-channel versatility • Compact plastic package • Fast switching • Low drive current • Ease of paralleling • Excellent temperature stability • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFET technology i 文件：161.17 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z20	文件：372.31 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -9.7A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=-50V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.28Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF9Z20	文件：220.55 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs DESCRIPTION The HEXFET® technology is the key to Vishay’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The P-Channel HEXFETd are 文件：220.55 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF9Z20	文件：280.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF9Z20	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET P-channel versatility\nCompact plastic package\nFast switching;	Vishay 威世科技	Vishay
IRF9Z20	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF9Z20_V01	文件：161.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • P-channel versatility • Compact plastic package • Fast switching • Low drive current • Ease of paralleling • Excellent temperature stability • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION The power MOSFET technology i 文件：161.17 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9Z20PBF	文件：161.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：161.17 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRF9Z20
功能描述：
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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