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IRF9Z20	文件：220.55 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs DESCRIPTION TheHEXFET®technologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheP-ChannelHEXFETdare	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z20	文件：287.18 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETs FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightmeperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9Z20	文件：140.27 Kbytes Page：7 Pages	P-channel versatility DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthepowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheP-channel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z20	文件：161.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •P-channelversatility •Compactplasticpackage •Fastswitching •Lowdrivecurrent •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z20	文件：372.31 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-9.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z20	文件：280.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z20_V01	文件：161.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •P-channelversatility •Compactplasticpackage •Fastswitching •Lowdrivecurrent •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z20PBF	文件：161.17 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF9Z20
功能描述：
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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