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IRF9Z22	文件：220.55 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs DESCRIPTION TheHEXFET®technologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheP-ChannelHEXFETdare	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z22	文件：1.20081 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheP-Channel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z22	文件：372.31 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-8.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.33Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z22	文件：280.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z22PBF	文件：1.20081 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheP-Channel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9Z22	文件：1.20081 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheP-Channel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF9Z22
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs

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