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IRF9Z24NL	文件：168.45 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：168.45 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NL	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：179.21 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：394.15 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：394.15 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：395.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：395.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NLPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF9Z24NL
功能描述：
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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