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IRF9Z24NS	文件：168.45 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：168.45 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NS	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：179.21 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NS	文件：931.36 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：931.36 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF9Z24NS	文件：1.09621 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：1.09621 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF9Z24NSPBF	文件：394.15 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：394.15 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NSTRR	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：179.21 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NSPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：395.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NSPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：395.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NSPBF_15	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：395.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NSTRLPBF	文件：395.11 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：395.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF9Z24NSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
-55 V
RDS (on) @10V max：
175 mΩ
ID @25°C max：
-12 A
QG typ @10V：
12.7 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
VGS(th)：
-3 V
Technology：
IR MOSFET™

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