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IRF9Z24NS

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-55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN：

    IRF9Z24NSTRLPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    D2PAK

  • VDS max：

    -55 V

  • RDS (on) @10V max：

    175 mΩ

  • ID @25°C max：

    -12 A

  • QG typ @10V：

    12.7 nC

  • Polarity：

    P

  • VGS(th) min：

    -2 V

  • VGS(th) max：

    -4 V

  • VGS(th)：

    -3 V

  • Technology：

    IR MOSFET™

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