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IRF9Z14STRRPBF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI9Z14G

HEXFET-R POWER MOSFET

文件:184 Kbytes 页数:6 Pages

IRF

IRFI9Z14G

Power MOSFET

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IRFI9Z14G

Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see

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详细参数

  • 型号:

    IRF9Z14STRR

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
22+
TO-263
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
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IR
23+
TO-263
8000
只做原装现货
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IR
23+
TO-263
7000
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IR/VISHAY
23+
TO-220
43000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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IR/VISHAY
25+
TO-TO-220
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更多IRF9Z14STRR供应商 更新时间2025-11-4 14:00:00