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IRFI9Z14G	文件：861.04 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see 文件：861.04 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
IRF9Z14STRR
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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