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IRF9520NSTRLPBF	文件：424.17 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：424.17 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF9520PBF	文件：1.31095 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dv/dt Raging • Repetitive Avalanche Rated • P-Channel • 175°C Operating Temperature • Fas 文件：1.31095 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF9520PBF	文件：159.1 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：159.1 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF9520S	文件：184.39 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Surface Mount • Available in Tape & Reel • Dynamic dv/dt Raging • Repetitive Avalanche 文件：184.39 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF9520NSTRLPBF
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET, P-CHANNEL, -100V, -6.8A, 480 MOHM, 18 NC QG, D2-PAK
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET P 100V D2-PAK
功能描述：
MOSFET, P, 100V, D2-PAK
功能描述：
MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
6.8A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
480mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes

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