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IRF9610PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION The Power MOSFETs technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFETs design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The TO-220 p

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威世威世科技公司

IRF9610PBF

Power MOSFET

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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-200V , RDS(on)=3.0廓 , ID=-1.8A )

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IRF

IRF9610PBF-BE3

Power MOSFET

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MOS(场效应管)

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    IRF9610PBF

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 200V 1.8 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRF9610PBF供应商 更新时间2026-1-17 9:04:00