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IRFI9620G	文件：1.67603 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9620G	文件：169.38 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=-3.0A) HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9620G	文件：772.09 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •P-channel •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI9620GPBF	文件：1.67603 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MAX9620	文件：1.87335 Mbytes Page：12 Pages	Single/DualSC70,Zero-Drift,High-Efficiency,1.5MHzOpAmpswithRRIO	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX9620AXK+	文件：1.87335 Mbytes Page：12 Pages	Single/DualSC70,Zero-Drift,High-Efficiency,1.5MHzOpAmpswithRRIO	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX9620AXK+	文件：1.82111 Mbytes Page：12 Pages	Single/DualSC70,Zero-Drift,High-Efficiency,1.5MHzOpAmpswithRRIO	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX9620AXK+	文件：789.01 Kbytes Page：12 Pages	Single/DualSC70,Zero-Drift,High-Efficiency,1.5MHzOpAmpswithRRIO	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCF/Y9620F	文件：206.39 Kbytes Page：4 Pages	ChassisMountingTransformers	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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详细参数

型号：
IRF9620STRR
功能描述：
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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